Наименование прибора: 2SK1603 Toshiba

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A

Время нарастания (tr): 25 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.4 Ohm

Тип корпуса: TO220IS, TO220F, SC67

Аналоги IRFIBF20G